Porównanie pamięci RAM Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Shenzhen Technology Co Ltd 8GB

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Shenzhen Technology Co Ltd 8GB

Wynik ogólny

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB

Wynik ogólny

Różnice Specyfikacje Uwagi

Powody do rozważenia
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

17 32

Wokół strony 47% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s

22.8 15.9

Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s

15.4 11.9

Średnia wartość w badaniach

Powody do rozważenia
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB

Wyższa przepustowość pamięci, mbps

19200 10600

Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma

Pełna lista specyfikacji technicznych

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB

Shenzhen Technology Co Ltd 8GB

Główna charakterystyka

Other

Opis

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara

7-7-7-20 / 1333 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

3391 2831

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns