RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
Porównaj
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
35
Wokół strony 20% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.5
13.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.8
8.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
35
Prędkość odczytu, GB/s
13.3
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
14.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2213
3336
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston XN205T-HYD2 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9905744-077.A00G 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston K9CXF2-MIE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link