RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
49
Wokół strony 51% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
15.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
11.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
49
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
25600
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2673
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Corsair CMW32GX4M4Z4000C18 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Hewlett-Packard 7EH74AA#ABC 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4133C19 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Kingston KHX3200C20S4/16GX 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link