RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
49
Около 51% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
11.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
49
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.8
Скорость записи, Гб/сек
12.5
11.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
25600
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2673
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB Сравнения RAM
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3333C16 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Kingston 9905701-020.A00G 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link