Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB

総合得点

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

総合得点

A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB

A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB

相違点仕様コメント

相違点

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

バグを報告する

PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

24 49

周辺 51% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s

16 15.8

テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s

12.5 11.5

テスト平均値

A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB

考慮すべき理由
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB

バグを報告する

より高いメモリ帯域幅、mbps

25600 19200

周辺 1.33 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR4 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

24 49
読み出し速度、GB/s

16.0 15.8
書き込み速度、GB/秒

12.5 11.5
メモリ帯域幅、mbps

19200 25600

Other

商品説明

PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
タイミング / クロック速度

15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

2925 2673

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

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Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB

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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB

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G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB

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Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB

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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

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Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB

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AMD R5316G1609U2K 8GB

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Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB

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Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB

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Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB

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