RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Porównaj
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
18.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,978.2
14.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
66
Wokół strony -247% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
66
19
Prędkość odczytu, GB/s
2,929.1
18.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,978.2
14.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
511
3220
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB Porównanie pamięci RAM
OCZ OCZ2SOE800URB1G 1GB
Kingston 9905295-025.B00LF 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BDBS 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 99U5665-004.A00G 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link