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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
比较
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
总分
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
总分
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
18.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,978.2
14.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
19
66
左右 -247% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
66
19
读取速度,GB/s
2,929.1
18.7
写入速度,GB/s
2,978.2
14.2
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
511
3220
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
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