RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Сравнить
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB против G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
34
Около -17% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.5
16.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.7
9.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
34
29
Скорость чтения, Гб/сек
16.2
19.5
Скорость записи, Гб/сек
9.7
15.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2636
3757
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB Сравнения RAM
Kingston HX316C10F/4 4GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingston 9905598-009.A00G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9965600-027.A01G 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMK32GX4M4C3333C16 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 9965604-008.D00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link