RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Сравнить
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.2
15.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
34
Около -31% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.8
9.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
34
26
Скорость чтения, Гб/сек
16.2
15.6
Скорость записи, Гб/сек
9.7
11.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2636
2382
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB Сравнения RAM
Kingston HX316C10F/4 4GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB Сравнения RAM
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905678-177.A00G 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
SK Hynix HMT451U6MFR8C-PB 4GB
Crucial Technology CT51264BA160BJ.C8F 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link