RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Сравнить
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB против Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Средняя оценка
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
68
Около 50% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.7
8.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.9
16.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
34
68
Скорость чтения, Гб/сек
16.2
16.9
Скорость записи, Гб/сек
9.7
8.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2636
2007
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB Сравнения RAM
Kingston HX316C10F/4 4GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FA 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 99U5734-036.A00G 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Kingston KHX2133C11D3/8GX 8GB
Kingston KHX1866C10D3/8G 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link