RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Сравнить
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB против Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Средняя оценка
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
74
Около 54% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.2
13.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.7
7.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
34
74
Скорость чтения, Гб/сек
16.2
13.6
Скорость записи, Гб/сек
9.7
7.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2636
1616
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB Сравнения RAM
Kingston HX316C10F/4 4GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
Kingston 99P5474-037.A00LF 4GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMR32GX4M2F3600C18 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMR32GX4M2F3600C18 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
Kingston 9905713-008.A00G 4GB
Kingston 99U5471-036.A00LF 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link