RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2800C16 8GB
Сравнить
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB против Corsair CMD32GX4M4A2800C16 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Средняя оценка
Corsair CMD32GX4M4A2800C16 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
36
Около 19% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.9
14.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.0
11.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Corsair CMD32GX4M4A2800C16 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2800C16 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
36
Скорость чтения, Гб/сек
16.9
14.8
Скорость записи, Гб/сек
12.0
11.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2601
3073
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Corsair CMD32GX4M4A2800C16 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2800C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Kingston KHX16 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Kingston 9965662-008.A01G 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
A-DATA Technology 11137401 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link