RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Сравнить
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB против Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
61
Около 52% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.0
8.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18.4
16.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
61
Скорость чтения, Гб/сек
16.9
18.4
Скорость записи, Гб/сек
12.0
8.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2601
2025
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB Сравнения RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
AMD R7S48G2400U2S 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
G Skill Intl F3-2400C10-8GTX 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AZC0B 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link