RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Сравнить
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB против Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
61
Около 52% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.0
8.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18.4
16.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
61
Скорость чтения, Гб/сек
16.9
18.4
Скорость записи, Гб/сек
12.0
8.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2601
2025
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB Сравнения RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology 78.C2GFP.C700B 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C15 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9905678-006.A00G 4GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
Kingmax Semiconductor KSDD48F-B8KW5 1GB
Corsair CMD128GX4M8A2400C14 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link