RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Сравнить
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB против G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
32
Около 9% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
20.6
16.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.0
12.0
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
32
Скорость чтения, Гб/сек
16.9
20.6
Скорость записи, Гб/сек
12.0
15.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2601
3593
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMR64GX4M4C3333C16 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 99U5702-025.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link