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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
总分
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
总分
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
32
左右 9% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
17000
左右 1.13% 更高的带宽
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
20.6
16.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.0
12.0
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
29
32
读取速度,GB/s
16.9
20.6
写入速度,GB/s
12.0
15.0
内存带宽,mbps
19200
17000
Other
描述
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2601
3593
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB RAM的比较
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G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
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G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Kingston 9905744-011.A00G 32GB
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SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFT 16GB
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