RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Сравнить
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB против Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Средняя оценка
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.9
16.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.0
8.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
29
Около -21% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
24
Скорость чтения, Гб/сек
16.9
16.2
Скорость записи, Гб/сек
12.0
8.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2601
2462
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905624-044.A00G 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Crucial Technology ST51264BA1339.16FK 4GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link