Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB против Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB

-->

Средняя оценка

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Средняя оценка

Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB

Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

29 119

Около 76% меньшая задержка
Выше скорость чтения

16.9 1.8

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

12.0 2.0

Среднее значение в тестах

Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB

Причины выбрать
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB

Сообщить об ошибке

Выше пропускная способность

21300 19200

Около 1.11 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR4 DDR4
Задержка в PassMark, нс

29 119
Скорость чтения, Гб/сек

16.9 1.8
Скорость записи, Гб/сек

12.0 2.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек

19200 21300

Other

Описание

PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота

15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2601 447

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB

Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB

Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB

Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB

модули RAM

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB

G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB

модули RAM

Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB

Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB

Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB

Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB

модули RAM

Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB

Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB

Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB

Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB

модули RAM

Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB

Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB

Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB

Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB

модули RAM

Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB

Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G

модули RAM

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB

Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB

модули RAM

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB

G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB

модули RAM

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB

G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB

Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB

модули RAM

Kingston KF552C40-16 16GB

Kingston KF552C40-16 16GB

Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB

Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB

модули RAM

AMD R5S38G1601U2S 8GB

AMD R5S38G1601U2S 8GB

Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB

Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB

модули RAM

Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB

Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB

Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB

Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB

модули RAM

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB

Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB

модули RAM