RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Сравнить
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB против Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
-->
Средняя оценка
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Средняя оценка
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
38
Около 34% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.3
14.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
10.8
9.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
38
Скорость чтения, Гб/сек
15.3
14.6
Скорость записи, Гб/сек
9.8
10.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2646
2298
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB Сравнения RAM
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Ramos Technology EEB8GB681CAE-16IC 8GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Kingston 9905702-019.A00G 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link