RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Сравнить
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB против Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Средняя оценка
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
41
Около 29% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.9
12.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.0
9.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
41
Скорость чтения, Гб/сек
16.9
12.8
Скорость записи, Гб/сек
12.0
9.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2601
2238
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Inmos + 256MB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
A-DATA Technology AD5U480016G-B 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Ramaxel Technology RMT3170MP68F9F1600 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link