RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Сравнить
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB против Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Средняя оценка
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
31
Около 6% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.9
11
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.0
8.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
31
Скорость чтения, Гб/сек
16.9
11.0
Скорость записи, Гб/сек
12.0
8.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2601
2271
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB Сравнения RAM
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 99U5665-001.A00G 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link