RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Сравнить
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
71
Около 59% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.9
15.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.0
8.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
71
Скорость чтения, Гб/сек
16.9
15.5
Скорость записи, Гб/сек
12.0
8.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2601
1902
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston KV0M5R-HYD 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Kingston 9905701-010.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9905630-030.A00G 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link