RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Comparar
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Pontuação geral
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
71
Por volta de 59% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.9
15.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.0
8.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Relatar um erro
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
29
71
Velocidade de leitura, GB/s
16.9
15.5
Velocidade de escrita, GB/s
12.0
8.3
Largura de banda de memória, mbps
19200
19200
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2601
1902
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB Comparações de RAM
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
SK Hynix HMT41GU6MFR8C-PB 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMK64GX4M4A2666C16 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213382 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMW32GX4M2C3200C16 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link