RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Сравнить
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB против Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Средняя оценка
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
29
Около -12% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.2
16.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.1
12.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
26
Скорость чтения, Гб/сек
16.9
17.2
Скорость записи, Гб/сек
12.0
17.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2601
3757
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905678-173.A00G 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link