RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Сравнить
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB против Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Средняя оценка
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
73
Около 60% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.9
15.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.0
9.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
73
Скорость чтения, Гб/сек
16.9
15.2
Скорость записи, Гб/сек
12.0
9.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2601
1843
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston 9965662-004.A00G 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston 9905678-005.A00G 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9905630-030.A00G 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link