RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
Сравнить
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB против Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
34
Около 29% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.2
15.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.4
11.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
34
Скорость чтения, Гб/сек
15.5
16.2
Скорость записи, Гб/сек
11.0
12.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2445
3135
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2800C16 4GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FADG 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link