RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
Porównaj
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
34
Wokół strony 29% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.2
15.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.4
11.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
34
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
11.0
12.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2445
3135
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston 9905624-044.A00G 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link