RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Сравнить
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB против G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
19
24
Около -26% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20
15.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.0
11.0
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
19
Скорость чтения, Гб/сек
15.5
20.0
Скорость записи, Гб/сек
11.0
15.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2445
3383
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMK32GX4M4B4000C19 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Apacer Technology 78.CAGPE.AUF0B 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link