Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB против Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB

-->

Средняя оценка

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Средняя оценка

Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB

Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Причины выбрать
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

26 41

Около 37% меньшая задержка

Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB

Причины выбрать
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

16.1 12.8

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

13.2 9.0

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 10600

Около 2.01 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

26 41
Скорость чтения, Гб/сек

12.8 16.1
Скорость записи, Гб/сек

9.0 13.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 21300

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2143 2870

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB

Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB

Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB

Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB

модули RAM

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Kingston KHX2400C15/16G 16GB

Kingston KHX2400C15/16G 16GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB

Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB

модули RAM

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB

Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB

модули RAM

AMD R534G1601U1S-UO 4GB

AMD R534G1601U1S-UO 4GB

SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB

SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB

модули RAM

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB

Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB

модули RAM

A-DATA Technology DDR3 1600 4GB

A-DATA Technology DDR3 1600 4GB

Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB

Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB

модули RAM

Kingston 9905471-001.A01LF 2GB

Kingston 9905471-001.A01LF 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N

модули RAM

SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB

SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB

SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB

SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB

модули RAM

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB

Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB

модули RAM

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB

Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB

Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB

модули RAM

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB

Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB

модули RAM

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB

модули RAM