RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Сравнить
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB против Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
29
Около 17% меньшая задержка
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.8
15.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.2
11.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
29
Скорость чтения, Гб/сек
15.5
15.8
Скорость записи, Гб/сек
11.0
12.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
25600
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2445
2988
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Essencore Limited IM4AGS88N24-FFFHA0 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMD64GX4M4B2800C14 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Super Talent F24EA8GS 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston 9965669-008.A03G 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology 11137401 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9905701-008.A00G 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link