RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Сравнить
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB против G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
38
Около -27% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.3
15.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.8
12.0
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
30
Скорость чтения, Гб/сек
15.5
17.3
Скорость записи, Гб/сек
12.0
14.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2283
3544
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C16 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 9905678-029.A00G 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905678-065.A00G 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link