RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Porównaj
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
38
Wokół strony -27% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.3
15.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.8
12.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
30
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
14.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2283
3544
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Kingston 9905643-009.A00G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHMB 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link