RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Compara
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Puntuación global
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
En 1.51% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
38
En -27% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.3
15.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.8
12.0
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
38
30
Velocidad de lectura, GB/s
15.5
17.3
Velocidad de escritura, GB/s
12.0
14.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2283
3544
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston 9965604-033.D00G 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9905668-002.A00G 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link