RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Сравнить
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB против Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Средняя оценка
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
25
Около 4% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.9
15.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.1
11.0
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
25
Скорость чтения, Гб/сек
15.5
15.9
Скорость записи, Гб/сек
11.0
12.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2445
2781
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9965662-013.A01G 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston K821PJ-MID 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3466C16 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link