RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Сравнить
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB против Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Средняя оценка
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
64
Около 63% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.0
8.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17
15.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
64
Скорость чтения, Гб/сек
15.5
17.0
Скорость записи, Гб/сек
11.0
8.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2445
2103
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMK32GX4M4B3000C15 8GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110MH78HAF-2666 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link