RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Сравнить
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB против InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Средняя оценка
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
8.8
8.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
41
Около -71% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.9
13.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
41
24
Скорость чтения, Гб/сек
13.3
15.9
Скорость записи, Гб/сек
8.8
8.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2394
2326
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB Сравнения RAM
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB Сравнения RAM
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Apacer Technology 78.CAGP7.C7Z0B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link