RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Сравнить
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB против Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Средняя оценка
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
41
Около -24% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.9
13.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.2
8.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
41
33
Скорость чтения, Гб/сек
13.3
14.9
Скорость записи, Гб/сек
8.8
10.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2394
2800
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB Сравнения RAM
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMSX64GX4M4A2400C16 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston 9965662-018.A00G 32GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston 9905734-018.A00G 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CM4X8GF2400C16K4 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston 9905713-008.A00G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMK64GX4M4C3200C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link