RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
35
Около 20% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.6
9.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.1
12.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
12800
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
35
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
15.1
Скорость записи, Гб/сек
9.6
9.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
25600
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
2488
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9905678-028.A00G 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHAB 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
InnoDisk Corporation 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link