RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
Сравнить
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB против Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Средняя оценка
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
42
Около -83% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.8
13.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.8
9.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
23
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
17.8
Скорость записи, Гб/сек
9.4
12.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2326
3015
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Сравнения RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C14 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Micron Technology 16HTS51264HY-800A1 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link