RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Сравнить
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB против Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
42
Около -27% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.8
13.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.4
9.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
33
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
16.8
Скорость записи, Гб/сек
9.4
14.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2326
3262
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Сравнения RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
SK Hynix Kingston 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link