RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
Сравнить
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB против Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
42
Около -35% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.8
13.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
9.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
31
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
16.8
Скорость записи, Гб/сек
9.4
12.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2326
3115
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Сравнения RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB Сравнения RAM
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston 9965589-031.D01G 2GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Avant Technology J642GU42J7240N4 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905663-005.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link