RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
Сравнить
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB против Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
42
Около -27% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.4
13.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.4
9.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
33
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
16.4
Скорость записи, Гб/сек
9.4
12.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2326
2949
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Сравнения RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Kingston KHX3200C20S4/16GX 16GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Inmos + 256MB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z3200C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link