RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Сравнить
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB против G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
21
42
Около -100% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.7
13.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.3
9.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
21
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
18.7
Скорость записи, Гб/сек
9.4
14.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2326
3437
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Сравнения RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CM4X8GD3000C15K4 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9905734-063.A00G 32GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston 9905678-121.A00G 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link