RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Сравнить
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB против G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
42
Около -56% меньшая задержка
Выше скорость чтения
24.7
13.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
19.9
9.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
27
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
24.7
Скорость записи, Гб/сек
9.4
19.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2326
4174
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Сравнения RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KHX3000C16/16GX 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston 9905630-018.A00G 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link