RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Сравнить
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB против G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
42
Около -68% меньшая задержка
Выше скорость чтения
25.2
13.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
19.5
9.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
25
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
25.2
Скорость записи, Гб/сек
9.4
19.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2326
4167
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Сравнения RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 9965596-035.B00G 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YH9 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link