RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Сравнить
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB против Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Средняя оценка
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
42
Около -75% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.1
13.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.8
9.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
24
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
17.1
Скорость записи, Гб/сек
9.4
12.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2326
3257
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Сравнения RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZ20B 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16/16G 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2133C13 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link