RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Сравнить
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB против Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Средняя оценка
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
37
42
Около -14% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.7
13.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.6
9.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
37
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
14.7
Скорость записи, Гб/сек
9.4
10.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2326
2592
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Сравнения RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link