RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Сравнить
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB против Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Средняя оценка
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
42
64
Около 34% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.4
8.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18
13.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
64
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
18.0
Скорость записи, Гб/сек
9.4
8.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2326
2197
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Сравнения RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905712-001.B00G 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905700-011.A00G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link