RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
Сравнить
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB против Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Средняя оценка
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
42
Около -35% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.4
13.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.0
9.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
31
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
18.4
Скорость записи, Гб/сек
9.4
12.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2326
2954
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Сравнения RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMT64GX4M8X3000C15 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Kingston 9905598-040.A00G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link