RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Сравнить
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB против Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Средняя оценка
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
42
Около -24% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.4
13.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.8
9.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
34
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
16.4
Скорость записи, Гб/сек
9.4
10.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2326
2732
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Сравнения RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston KTD3KX-HYA 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston KHX2666C15/16GX 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Crucial Technology BLT8G3D1869DT1TX0. 8GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 99U5734-014.A00G 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link