RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Сравнить
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB против Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Средняя оценка
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
42
Около -31% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.4
13.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.2
9.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
32
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
16.4
Скорость записи, Гб/сек
9.4
12.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2326
2871
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Сравнения RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8X 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KHX2133C14/16G 16GB
Micron Technology 16HTF25664AY-800E1 2GB
Kingston 9905701-006.A00G 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link